大家好，来看(kàn)一则突发消息。

　　美光公(gōng)司在华(huá)销(xiāo)售的产(chǎn)品未通过网(wǎng)络安全审查

　　据网信(xìn)办(bàn)消息(xī)，日前，网络安全(quán)审查(chá)办公室(shì)依法对美光(guāng)公司在华销售产品进行(xíng)了网络安全(quán)审查。

　　审查发现(xiàn)，美光(guāng)公司产品存在较(jiào)严重网络安全问题(t骨架大的男生一般都很高吗，为什么身高越高性功能越差í)隐患，对我国关键信息基础(chǔ)设(shè)施供应链造成(chéng)重(zhòng)大安全风险，影响我(wǒ)国国家安全。为此，网络安全审查办公室依法作出不予通(tōng)过网络安全审查的结论。按照《网络安(ān)全法》等法律法规，我国内关键信息基础设施的运营者应停(tíng)止采(cǎi)购(gòu)美光公(gōng)司产品(pǐn)。

　　此次对(duì)美光(guāng)公司产品进行网络安全审查，目的(de)是防范产品网(wǎng)络安全问(wèn)题危害国家关键信息(xī)基础(chǔ)设施(shī)安全，是维护国家安(ān)全的必要措施。中国坚(jiān)定推进高水平对外开放，只(zhǐ)要(yào)遵守(shǒu)中国法(fǎ)律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各(gè)类平台产品服务进(jìn)入中国市场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称，为保(bǎo)障关键(jiàn)信息基础设(shè)施供应链安全(quán)，防范产(chǎn)品问题隐患(huàn)造成(chéng)网络(luò)安全风(fēng)险，维(wéi)护国家安全(quán)，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民共(gòng)和国网(wǎng)络安(ān)全法》，网络安(ān)全审查办(bàn)公室按照《网络安(ān)全审(shěn)查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也是全(quán)球存储芯片巨头之一，2022年收(shōu)入(rù)来自中国市场(chǎng)收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠(xiá)、西部数(shù)据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市(shì)公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司(sī)披露(lù)过美光等国际存储厂商为公(gōng)司供(gōng)应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降(jiàng)，至少已经不是主要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美(měi)光(guāng)位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和第三大(dà)供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上(shàng)下游建立(lì)国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三(sān)星、美(měi)光、西部(bù)数(shù)据等主要存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂(chǎng)签署了长期合(hé)约，确保存储(chǔ)晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固公司在下游市场的供应优(yōu)势(shì)，公司(sī)也与国(guó)内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前(qián)就分析，如(rú)果美光(guāng)在中国区销售受到限制，或(huò)将导致下游(yóu)客户转而采购国外三星(xīng)、 SK海力士(shì)，国内长江(jiāng)存储(chǔ)、长鑫存储(chǔ)等(děng)竞(jìng)对(duì)产品(pǐn)

　　分(fēn)析(xī)称，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂或从中受益。存储(chǔ)器的(de)生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜(mó)成为最关(guān)键、最(zuì)大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经(jīng)过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽(cáo)，催生更多设备(bèi)需求。据东京电子披露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开(kāi)支(zhī)合计(jì)为75％。自长江存储被(bèi)加入美国限制名(míng)单，设备(bèi)国产化进程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相(xiāng)关公司份额(é)提升，以及存储业务占比较(jiào)高的(de)华海清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收(shōu)入增(zēng)长。

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