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　　美光公(gōng)司(sī)在华销售的产(chǎn)品(pǐn)未通过网(wǎng)络安全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络安全审查办(bàn)公室依法对美(měi)光公司在(zài)华(huá)销(xiāo)售产品进行了网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)。

　　审查(chá)发现，美光公司产(chǎn)品(pǐn)存在(zài)较严重网(wǎng)络安(ān)全问题隐患，对(duì)我国关(guān)键信息基础(chǔ)设(shè)施供应链(liàn)造成重大(dà)安(ān)全风(fēng)险，影响我(wǒ)国国家安全。为此，网络安全审查办公(gōng)室(shì)依(yī)法作出不予(yǔ)通(tōng)过网络安(ān)全审查的(de)结论。按照《网络安全法》等法律法规(guī)，我国内关键信息基(jī)础设施的运营者(zhě)应停止采购美光公司产品。

　　此次对美(měi)光公司产品进(jìn)行网络安全审查，目的是防范产品网络安(ān)全问题危害国家关键信息(xī)基础设施安全，是(shì)维护国家安全的(de)必要措施。中国坚定推进高水平(píng)对(duì)外开放，只(zhǐ)要(yào)遵(zūn)守中(zhōng)国法律法(fǎ)规要(yào)求，欢迎(yíng)各(gè)国企业、各类平(píng)台(tái)产中国最早的朝代，中国最早的皇帝是谁品服务进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国(guó)网信网发文称，为保(bǎo)障(zhàng)关键信(xìn)息基础设施供应链安全，防范产品问题隐患造成网络(luò)安全风险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中华人民(mín)共和国(guó)国家(jiā)安全法》《中华人民共和国网络安(ān)全法》，网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)办公室按照《网络安(ān)全审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网络安全审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯(xīn)片(piàn)行业龙头，也是全球存(cún)储芯片巨头之一，2022年(nián)收入来自中国市(shì)场收入(rù)从此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数(shù)据(jù)、SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公(gōng)司(sī)中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公司披露过(guò)美光等国际存储(chǔ)厂(chǎng)商为公司供应商(shāng)。

　　美光(guāng)在江(jiāng)波龙采(cǎi)购占比已经显著下降，至少(shǎo)已经不(bù)是主要大供应商。

　　公(gōng)告(gào)显示， 2021年美光位列(liè)江(jiāng)波龙第一大存(cún)储晶(jīng)圆供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和第(dì)三大(dà)供应商采购(gòu)金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在(zài)存储(chǔ)产业链上下(xià)游建立国内外(wài)广泛(fàn)合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与三星、美(měi)光(guān中国最早的朝代，中国最早的皇帝是谁g)、西(xī)部数据(jù)等主要(yào)存储晶(jīng)圆原厂签(qiān)署了长期合约(yuē)，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在(zài)下(xià)游(yóu)市场的供应优(yōu)势，公司也(yě)与国内国产(chǎn)存储晶圆(yuán)原(yuán)厂武(wǔ)汉(hàn)长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如(rú)果美(měi)光在中(zhōng)国区销(xiāo)售受到限制，或将导致下游(yóu)客户转而采购(gòu)国外三星、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞(jìng)对产品

　　分(fēn)析(xī)称(chēng)，长存、长鑫的上游设备厂或(huò)从中受益(yì)。存储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最(zuì)关键、最大量(liàng)的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前沿要(yào)刻到(dào) 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深(shēn)的孔或(huò)者沟(gōu)槽，催生更多设备需求。据(jù)东京电子披(pī)露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存(cún)储被加入美国(guó)限(xiàn)制名单，设备国产化进(jìn)程加速(sù)，看好拓(tuò)荆科技(jì)（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及(jí)存储业(yè)务(wù)占比较高的(de)华(huá)海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入(rù)增长。

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