大家好(hǎo)，来看一(yī)则突发消息(xī)。

　　美(měi)光公司在华销(xiāo)售的产品未通过网络安全审查

　　据(jù)网信办消息(xī)，日(rì)前，网(wǎng)络安全(quán)审查办公室依法(fǎ)对美光公司在华销售产品(pǐn)进(jìn)行了网络(luò)安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公(gōng)司(sī)产品存在较严重(zhòng)网络(luò)安全(quán)问题(tí)隐患(huàn)，对(duì)我国关(guān)键(jiàn)信息基(jī)础设(shè)施供应链造成重大(dà)安全风险，影响我国国家(jiā)安全。为(wèi)此(cǐ)，网络安全审查办公室依法作出不予通过网络安全审查的(de)结论。按照《网络(luò)安全法(fǎ)》等法律法(fǎ)规，我(wǒ)国内关(guān)键(jiàn)信息基础设施的运营者应停止(zhǐ)采(cǎi)购美光(guāng)公(gōng)司(sī)产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产品进行网络安(ān)全(quán)审查，目(mù)的是防范产品网络安全问题危害国家关键信(xìn)息基础设施安全，是维(wéi)护国(guó)家(jiā)安全(quán)的(de)必要措(cuò)施。中国坚(jiān)定推进高水平对外开(kāi)放(fàng)，只要遵守(shǒu)中国法律法规要求，欢迎各(gè)国企业、各类平台产品服务进入中(zhōng)国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障(zhàng)关键信息基础(chǔ)设施供(gōng)应链安全(quán)，防范产(chǎn)品问(wèn)题隐患造成网络安全风险，维护国家安全，依(yī)据《中华人民共和国国家安全(quán)法》《中华人民共和国网络安(ān)全(quán)法》，网络(luò)安(ān)全审(shěn)查办(bàn)公室按照《网(wǎng)络(luò)安(ān)全审(shěn)查办法》，对(duì)美(měi)光公(gōng)司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施(shī)网络安(ān)全(quán)审查。

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　　美光是美国的存储芯(xīn)片行(xíng)业龙头，也是(shì)全球(qiú)存储芯(xīn)片巨头之一，2022年收入来自(zì)中国市场收入从此前(qián)高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根(gēn)据(jù)市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存(cún)）市(shì)场份(fèn)额约为(wèi) 94.35％。教师一年的工作日有多少天，一年有多少周p>

　　A股上市公司中(zhōng)，江(jiāng)波龙(lóng)、佰维存储等公司披露(lù)过美光等(děng)国(guó)际存储厂(chǎng)商为公(gōng)司供应商。

　　美(měi)光在江波龙(lóng)采购占(zhàn)比已经显著(zhù)下降，至少(shǎo)已经(jīng)不是(shì)主要大供(gōng)应(yīng)商(shāng)。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列(liè)江(jiāng)波龙第一(yī)大存储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供(gōng)应商采购金额(é)占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存储产(chǎn)业链上下(xià)游建立国内(nèi)外广(guǎng)泛合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与(yǔ)三(sān)星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了(le)长期合约，确保存储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩(gǒng)固(gù)公司在下游市场的供应优势(shì)，公(gōng)司也(yě)与国内国产存储晶圆原(yuán)厂武汉(hàn)长江存储(chǔ)、合肥长鑫(xīn)保持良好(hǎo)的合作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如果美光在(zài)中国区销售受到限制，或将(jiāng)导致下游客户转而(ér)采(cǎi)购国外三(sān)星(xīng)、 SK海力士，国(guó)内长(zhǎng)江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂或(huò)从中受益。存储器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结(jié)构转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为(wèi)最(zuì)关键、最(zuì)大(dà)量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀(shí)目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可(kě)能会更深的孔或(huò)者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支(zhī)合(hé)计为75％。自长江存储被加入美(měi)国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄(báo)膜(mó)沉积）等相关公司份额提升，以及存(cún)储业务占(zhàn)比较高的华(huá)海清(qīng)科(kē)（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海（清洗）等收入(rù)增长。

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