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　　美(měi)光(guāng)公司在华销售的产品未通(tōng)过网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查(chá)办公室依法对(duì)美光(guāng)公司在(zài)华销售产(chǎn)品进行了(le)网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产(chǎn)品存(cún)在较严重网络安(ān)全问题隐患，对我(wǒ)国关键信息基础设施供应链造成重(zhòng)大安全风(fēng)险，影响我国国家安全。为此，网络安全审查办公室依(yī)法作出不予通过网(wǎng)络安(ān)全审查的结论。按照《网络安全法》等法律法(fǎ)规，我(wǒ)国(guó)内关键信息(xī)基(jī)础设施的运(yùn)营(yíng)者(zhě)应停止(zhǐ)采(cǎi)购(拖鞋买刚好的还是大点的 拖鞋有必要买大一码吗gòu)美(měi)光公司产品。

　　此次对美光(guāng)公司产品进行网络安全审查(chá)，目的是防范产(chǎn)品(pǐn)网(wǎng)络安全问(wèn)题危害国家关(guān)键信(xìn)息(xī)基础(chǔ)设施安全，是维护国家安全的必(bì)要措施。中国(guó)坚定(dìng)推进高(gāo)水平对外(wài)开放，只要遵守(shǒu)中国法律法规要求(qiú)，欢迎各国企业、各类(lèi)平台(tái)产品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称，为(wèi)保障关拖鞋买刚好的还是大点的 拖鞋有必要买大一码吗键信息(xī)基础(chǔ)设施供应链安全(quán)，防范(fàn)产品问题隐患造(zào)成网络安(ān)全风(fēng)险，维(wéi)护国家安全，依据《中华(huá)人民共和国国家安全法》《中华人民共和国网(wǎng)络安(ān)全法》，网络安全审查办公室按照(zhào)《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售的产(chǎn)品实(shí)施(shī)网络安全审查(chá)。

　　美(měi)光(guāng)是美国的存储芯片(piàn)行(xíng)业龙头，也是全球存储芯片(piàn)巨(jù)头之一，2022年收入(rù)来自中国市场收入从(cóng)此(cǐ)前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星(xīng)电(diàn)子、 铠(kǎi)侠、西部数(shù)据(jù)、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公司(sī)中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公(gōng)司披露过美光等(děng)国(guó)际存(cún)储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光(guāng)在江波(bō)龙(lóng)采购占比已经显著下降(jiàng)，至少已经不(bù)是(shì)主要大(dà)供应商。

　　公(gōng)告显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光位列江波龙(lóng)第一(yī)大(dà)存储晶圆供应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一(yī)大(dà)、第二大和第三大供(gōng)应商采(cǎi)购金(jīn)额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波(bō)龙已(yǐ)经(jīng)在存储产业链上(shàng)下游建立国内(nèi)外广(guǎng)泛合作(zuò)。2022年(nián)年报(bào)显示，江波龙(lóng)与(yǔ)三(sān)星、美光、西部数据(jù)等主(zhǔ)要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应的(de)稳(wěn)定性(xìng)，巩固公司在下(xià)游市场的供(gōng)应优势(shì)，公(gōng)司(sī)也与国内国产(chǎn)存(cún)储(chǔ)晶圆原(yuán)厂武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果(guǒ)美(měi)光在中国区销售受(shòu)到限制，或将导致(zhì)下(xià)游客(kè)户转(zhuǎn)而采(cǎi)购国外三(sān)星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储、长(zhǎng)鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游(yóu)设(shè)备(bèi)厂或从中受益。存(cún)储(chǔ)器(qì)的(de)生产已经演(yǎn)进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工(gōng)艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到(dào)3维的结(jié)构转变使刻蚀和薄(báo)膜成(chéng)为最关(guān)键、最大量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未(wèi)来(lái)可能会更深的(de)孔或者沟槽(cáo)，催生更多设备需求。据东京(jīng)电子披露(lù)，薄膜(mó)沉积(jī)设备及刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加入美国限制(zhì)名单，设备国产化(huà)进程加(jiā)速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉(chén)积）等(děng)相关公(gōng)司份额(é)提升，以及存(cún)储业务(wù)占比较(jiào)高的(de)华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入(rù)增长。

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