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　　美光公(gōng)司在华销售的产品未通过网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查

　　据(jù)网信办消息(xī)，日前，网络安(ān)全审查办公室依法对美光公司在华(huá)销售产(chǎn)品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品(pǐn)存在较严重网络安全问题(tí)隐患，对我国关键(jiàn)信息基(jī)础设施供应链造成重大(dà)安全风险，影响我国国家安全。为(wèi)此，网络安全(quán)审查办公室依法作出不予(yǔ)通(tōng)过网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查的结论。按照《网络(luò)安全法》等法律法规，我国内关键信息基(jī)础设施(shī)的运营者(zhě)应停止(zhǐ)采购(gòu)美光(guāng)公司产品。

　　此次对美光公司产品进行(xíng)网络安全审(shěn)查(chá)，目(mù)的是防范(fàn)产品网络安全问(wèn)题危(wēi)害国(guó)家(jiā)关键信(xìn)息基础设(shè)施安全(quán)，是维护国家安(ān)全的必要措施。中国(guó)坚(jiān)定推进(jìn)高水平(píng)对外开放，只要遵守中国法律法规要(yào)求，欢迎各(gè)国企业、各类平台产品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网(wǎng)发文(wén)称，为保障关键信(xìn)息基(jī)础设(shè)施供应链(liàn)安(ān)全，防范(fàn)产品(pǐn)问题隐(yǐn)患造成网(wǎng)络安(ān)全(quán)风险，维护国家安全，依据《中华人民共(gòng)和国国家安全(quán)法(fǎ)》《中华人(rén)民(mín)共和国网络安全法》，网络(luò)安全(quán)审查办公室按照《网络(luò)安全(quán)审查(chá)办(bàn)法》，对(duì)美光公(gōng)司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网络(luò)安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行(xíng)业(yè)龙头，也(yě)是全球(qiú)存储芯片巨头之(zhī)一(yī)，2022年(nián)收入来自中国市场收入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场(chǎng)份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙(lóng)、佰(bǎi)维(wéi)存储等公司披(pī)露过美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在(zài)江波龙采购占比已经(jīng)显著下降，至少已(yǐ)经不是主要大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列江娜能组成什么词，娜字能组什么词语(jiāng)波娜能组成什么词，娜字能组什么词语龙第一大存储(chǔ)晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大和(hé)第三大供应商(shāng)采购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波(bō)龙已经在存储产业链上(shàng)下游(yóu)建立国内外广泛合作(zuò)。2022年年(nián)报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光、西(xī)部数据等主要(yào)存储晶圆原厂(chǎng)签署了长期合(hé)约，确保存储晶圆(yuán)供应的稳定性，巩(gǒng)固(gù)公司在下游(yóu)市(shì)场的供应(yīng)优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉(hàn)长江存(cún)储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中(zhōng)国(guó)区(q娜能组成什么词，娜字能组什么词语ū)销(xiāo)售(shòu)受到(dào)限制，或将导致下游客(kè)户转(zhuǎn)而采购(gòu)国外(wài)三星、 SK海力(lì)士，国内(nèi)长江存储、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游设备厂或从中(zhōng)受益(yì)。存储器的生产已经演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变(biàn)使(shǐ)刻蚀和薄膜(mó)成为(wèi)最关键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄(báo)膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来可能(néng)会更深的孔或者沟槽(cáo)，催生更多设备需求。据(jù)东京电(diàn)子披露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资(zī)本开(kāi)支(zhī)合计为75％。自(zì)长江存储(chǔ)被加入美国限制名单(dān)，设备国产化进程加(jiā)速，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关公司(sī)份额提升，以及存储业务占比较(jiào)高的(de)华(huá)海清(qīng)科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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