大(dà)家好(hǎo)，来看一则突发消息。

　　美光公司在华销售的产(chǎn)品(pǐn)未通过网络安全审查

　　据网(wǎng)信办消息(xī)，日前(qián)，网络安全审查办公(gōng)室依法对美光公司在华销售产品进行了网络安全审(shěn)查(chá)。

　　审查发现(xiàn)，美光公(gōng)司产品存(cún)在较严(yán)重网络安全问题隐(yǐn)患(huàn)，对我国(guó)关键信息基(jī)础(chǔ)设施供应链造(zào)成重大安全(quán)风(fēng)险，影响我国国家安全。为此，网(wǎng)络安全审查(chá)办公室依法作(zuò)出(chū)不予通过(guò)网络(luò)安(ān)全审(shěn)查的结论。按照《网络安全法》等法律法规(guī)，我国内(nèi)关键信息基(jī)础设施的运营者应(yīng)停止采购美光公司产品。郑业成是否已婚 郑业成是几线演员

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行网络安全审查，目的(de)是防范产品网络(luò)安全问题危害(hài)国(guó)家关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施安全(quán)，是维(wéi)护国家(jiā)安(ān)全的必(bì)要措施。中(zhōng)国坚定推进高水平对外开放，只(zhǐ)要(y郑业成是否已婚 郑业成是几线演员ào)遵守中国法律法规要(yào)求，欢迎各国(guó)企业、各类(lèi)平台产(chǎn)品服务(wù)进(jìn)入中国(guó)市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称，为保(bǎo)障关键信息基础设施供应链(liàn)安全，防(fáng)范产品(pǐn)问题(tí)隐患造成网络安全风险，维护(hù)国家安全，依据(jù)《中华人民共和国国(guó)家安全法》《中华人民共和国网(wǎng)络(luò)安全法》，网络(luò)安(ān)全审查(chá)办公室按照(zhào)《网络安(ān)全(quán)审查办法》，对美光公(gōng)司(sī)（Micron）在华销(xiāo)售(shòu)的产(chǎn)品实施网络安全审(shěn)查。

　　美光(guāng)是(shì)美国的(de)存储(chǔ)芯片行(xíng)业(yè)龙头，也(yě)是全球存储芯(xīn)片(piàn)巨头之一，2022年(nián)收入来自中国市场收(shōu)入从(cóng)此前高峰(fēng)57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场(chǎng)咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在(zài)全(quán)球 DRAM （内(nèi)存(cún)）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公(gōng)司中(zhōng)，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司披露(lù)过(guò)美(měi)光等国际存储厂商为(wèi)公(gōng)司(sī)供应商。

　　美光(guāng)在江波(bō)龙(lóng)采购占比已经显著下降，至少(shǎo)已经不是(shì)主(zhǔ)要大供应(yīng)商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供(gōng)应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二大(dà)和第三大(dà)供应商采购(gòu)金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波(bō)龙已经在(zài)存储产业链上下游建(jiàn)立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江(jiāng)波(bō)龙(lóng)与(yǔ)三星、美光(guāng)、西部(bù)数据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂(chǎng)签署(shǔ)了长期(qī)合(hé)约(yuē)，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性，巩固(gù)公司在下游市场(chǎng)的(de)供应优势，公司也(yě)与国内(nèi)国产(chǎn)存储晶(jīng)圆原厂(chǎng)武汉(hàn)长江存(cún)储、合(hé)肥长鑫保持良好的(de)合作。

　　有券商此前就分析(xī)，如(rú)果(guǒ)美(měi)光在中国区销售受(shòu)到限制，或将(jiāng)导致下(xià)游客户转而采购国(guó)外三(sān)星、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)郑业成是否已婚 郑业成是几线演员、长鑫存(cún)储(chǔ)等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游设备厂或从(cóng)中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到3维的结(jié)构(gòu)转变(biàn)使刻蚀(shí)和薄膜(mó)成为最关(guān)键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同(tóng)时刻蚀(shí)目前前(qián)沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会(huì)更深的孔或者沟槽，催生更(gèng)多设备需求。据东京(jīng)电子披露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本(běn)开支合计为(wèi)75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备(bèi)国产化进程加(jiā)速，看好拓(tuò)荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关(guān)公司(sī)份额提升，以(yǐ)及存储业务占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入(rù)增长。

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