大(dà)家好(hǎo)，来看一则突发(fā)消(xiāo)息。

　　美光公司在华销售(shòu)的产(chǎn)品未通过网(wǎng)络安全审查

　　据(jù)网信办消息，日(rì)前，网络安全审查办(bàn)公室(shì)依法对美光公司在华销售产(chǎn)品进行了网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　审查发现，美(m太监割掉的是哪些部位，太监为什么割掉的是哪些部位ěi)光(guāng)公司(sī)产品存在(zài)较(jiào)严重网(wǎng)络安全问题(tí)隐(yǐn)患，对我(wǒ)国(guó)关(guān)键信息(xī)基础设施供应(yīng)链造成重大安全(quán)风险，影响我国国家安(ān)全(quán)。为此，网络(luò)安全审(shěn)查(chá)办(bàn)公(gōng)室(shì)依法作出不予通过网络安全审(shěn)查的结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法规，我国内关键信息基础设(shè)施的运营者(zhě)应停(tíng)止采购(gòu)美(měi)光公(gōng)司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产品(pǐn)进行(xíng)网络安全审(shěn)查，目的是防范产品网络安全问题危(wēi)害国家关键信息(xī)基础设施安全(quán)，是维护国家(jiā)安全的必要措(cuò)施。中国坚定推进高水平对外(wài)开(kāi)放，只(zhǐ)要遵守中国法律法规要求，欢(huān)迎各国企业、各(gè)类(lèi)平台产(chǎn)品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网(wǎng)信网发文称，为保(bǎo)障关键信息基(jī)础设施供应链安全(quán)，防范产品问题隐患(huàn)造成网(wǎng)络(luò)安全风(fēng)险，维(wéi)护国家安全(quán)，依据(jù)《中华人民(mín)共和(hé)国(guó)国家安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审查(chá)办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施(shī)网络安全审(shěn)查。

　　美光是美国的存储芯片行业(yè)龙头，也是全(quán)球(qiú)存储芯(xīn)片巨头(tóu)之一，2022年收入来自中国市场收入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星(xīng)电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露过美光(guāng)等国际(jì)存储厂商为公(gōng)司供(gōng)应商。

　　美(měi)光在江波龙采购占(zhàn)比已经显著下降(jiàng)，至少已经不(bù)是主要大(dà)供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙(lóng)第(dì)一大存储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二(èr)大和(hé)第三(sān)大供应商(shāng)采购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储(chǔ)产业链上下(xià)游建(jiàn)立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江波(bō)龙与(yǔ)三星、美(měi)光、西部(bù)数(shù)据等主(zhǔ)要(yào)存(cún)储晶(jīng)圆(yuán)原厂签(qiān)署了长期(qī)合(hé)约，确保存(cún)储晶圆供(gōng)应(yīng)的稳(wěn)定性，巩固公司在下(xià)游市(shì)场的供(gōng)应优(yōu)势，公司也与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合(hé)肥长鑫保持良好的(de)合作(zuò)。

　　有券商此前(qián)就分(fēn)析，如太监割掉的是哪些部位，太监为什么割掉的是哪些部位(rú)果(guǒ)美光在中国(guó)区销售受(shòu)到限制，或将(jiāng)导致下游客(kè)户转而采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江(jiāng)存(cún)储、长鑫存储等竞(jìng)对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变(biàn)使刻蚀和(hé)薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均(jūn)需要经过(guò)薄膜(mó)沉(chén)积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔(kǒng)，未来(lái)可能会更深(shēn)的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东(dōng)京电子(zi)披露，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自长江(jiāng)存储被加(jiā)入美国限制名(míng)单，设备国产化进(jìn)程(chéng)加(jiā)速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份额提升，以(yǐ)及存储业务占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清(qīng)洗）等收入增长。

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