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　　美(měi)光(guāng)公(gōng)司在华销售的产品未通(tōng)过网络安全审查

　　据网信(xìn)办(bàn)消息，日前，网络安全(quán)审查办公室依法(fǎ)对美光(guāng)公司在华销售产品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审查(chá)发现，美光公司产品(pǐn)存在较严重网络(luò)安全问题隐患(huàn)，对(duì)我国关键信息基(jī)础设施供应链造(zào)成重(zhòng)大安全风险，影响我国(guó)国家安(ān)全。为此，网(wǎng)络(luò)安(ān)全(quán)审查(chá)办公室依法作出不予通过(guò)网络安全审(shěn)查的(de)结论(lùn)。按照《网络(luò)安全法(fǎ)》等法律法(fǎ)规，我国内关(guān)键信(xìn)息基础设施的运营(yíng)者应(yīng)停(tíng)止采购美光公司(sī)产品。

　　此次对(duì)美光公司产品进行网络安全审查，目的是(shì)防范产品(pǐn)网络安全问题(tí)危(wēi)害国家(jiā)关(guān)键信(xìn)息基础设施安(ān)全，是维护国家安全的必要措(cuò)施。中国(guó)坚定推进高水平对外开放，只要遵守中国法律法规要求(qiú)，欢(huān)迎(yíng)各国企业、各类平台产品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信(xìn)网发文称，为保障(zhàng)关(guān)键信息基础(chǔ)设(shè)施(shī)供应链安全，防范产品问题隐患造成网(wǎng)络安全(quán)风(fēng)险，维护国家安(ān)全，依据《中华人民(mín)共和(hé)国国家安全(quán)法》《中华人民共和国(guó)网(wǎng)络安(ān)全法》，网络(luò)安全审(shěn)查办公室按照《网络安全审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售(shòu)的产品实施网络安全审查。

　　美光(guāng)是(shì)美国的存储芯片行业(yè)龙(lóng)头，也是全球存储芯片巨(jù)头之一，2022年收(shōu)入来(lái)自中国(guó)市(shì)场收(shōu)入从此前高(gāo)峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场(chǎng)份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰维存储等公司(sī)披露过美光等国际(jì)存储厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光在江波(bō)龙采购(gòu)占(zhàn)比已经显著下降(jiàng)，至少已经不是主(zhǔ)要(yào)大供应商。

　　公告(gào)显(xiǎn)示(shì)， 2021年美光位列(liè)江波(bō)龙第一大存储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大和(hé)第(dì)三大供应(yīng)商采(cǎi)购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储产业(yè)链上下游(yóu)建立国内外广泛合作。2022年年(nián)报显示，江波(bō)龙(lóng)与三星、美光(guāng)、西部数据等主要存储(chǔ)晶圆原厂签署了(le)长期合约，确保存储晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固公司在下游市场的供应优势，公司也与国(guó)内国(guó)产存储晶圆原(yuán)厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合(hé)作。

　　崤什么时候读yao佳肴，崤什么时候读有券商此前就分(fēn)析，如果美(měi)光在中国区销(xiāo)售受到限(xiàn)制，或将(jiāng)导(dǎo)致下游客户(hù)转而(ér)采购国外三星、 SK海力(lì)士(shì)，国内长江(jiāng)存储、长鑫(xīn)存储(chǔ)等竞对产品

　　分(fēn)析称(chēng)，长存、长鑫(xīn)的上(shàng)游(yóu)设备厂或从中受益。存储器的生(shēng)产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和(hé)薄膜成(chéng)为最关键、最大量的加(jiā)工设备(bèi)。3D NAND每层(céng)均需(xū)要(yào)经过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻(kè)崤什么时候读yao佳肴，崤什么时候读到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔(kǒng)或者(zhě)沟槽，催生更多(duō)设备(bèi)需求。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本(běn)开支合(hé)计为75％。自长江(jiāng)存(cún)储被加入(rù)美国限制名单，设备国产化进(jìn)程加速，看好拓荆(jīng)科(kē)技（薄膜沉积）等(děng)相关公(gōng)司份额提(tí)升(shēng)，以及存储(chǔ)业务(wù)占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等(děng)收入增长(zhǎng)。

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