大家好，来看一则突发(fā)消(xiāo)息(xī)。

　　美光公(gōng)司在(zài)华销售的产品未(wèi)通过网络(luò)安全审查

　　据网(wǎng)信办消(xiāo)息，日前，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室依法对美光(guāng)公司在华销售产品进行(xíng)了网络安(ān)全审查。

　　审查发(fā)现(xiàn)，美光公(gōng)司产品存(cún)在较严重网络安全问题(tí)隐患(huàn)，对我国关(guān)键信(xìn)息(xī)基(jī)础设施供(gōng)应链造成重大安全风险，影响我国国家安全。为(wèi)此，网络安全审查办公室依(yī)法作(zuò)出不予(yǔ)通过网络安全审查的(de)结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关键(jiàn)信(xìn)息基础设施的运营者应(yīng)停(tíng)止(zhǐ)采购(gòu)美(měi)光(guāng)公司(sī)产品(pǐn)。

　　此次对美光公(gōng)司(sī)产品进行(xíng)网络安全(quán)审查，目(mù)的(de)是防范产品(pǐn)网络安全问(wèn)题危害国家(jiā)关键信息基础设施(shī)安全，是维护国家(jiā)安全的必要措(cuò)施(shī)。中国(guó)坚定推进高(gāo)水平(píng)对外开放，只(zhǐ)要遵守中国法律(lǜ)法规(guī)要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类(lèi)平台产品服务进(jìn)入中(zhōng)国市(shì)场。

　　3月(yuè)31日，中(zhōng)国(guó)网信网(wǎng)发文称，为(wèi)保(bǎo)障(zhàng)关(guān)键(jiàn)信息(xī)基础设施(shī)供应链安全，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维(wéi)护国家安全，依(yī)据《中华人民共(gòng)和国国家安全法》《中华人民共和(hé)国(guó)网(wǎng)络安全法》，网(wǎng)络安全(quán)审查办公室(shì)按照《网络安全审查办法(fǎ)》，对(duì)美光公(gōng)司（Micron）在(zài)华销售的产品实施网络华大基因有国家背景吗安全审查。

　　美光是美(měi)国的(de)存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三(sān)星电(diàn)子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙、佰维存储等(děng)公司(sī)披露过(guò)美(měi)光(guāng)等国际(jì)存储厂商为公司供应商。

　　美光在(zài)江波龙采购占比已(yǐ)经显著(zhù)下降，至少已经(jīng)不是主要(yào)大供(gōng)应(yīng)商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一(yī)大(dà)存储晶圆供应(yīng)商，采(cǎi)购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大(dà)和第三大(dà)供应商(shāng)采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙(lóng)已经在存储(chǔ)产业(yè)链上下游(yóu)建(jiàn)立国内外广(guǎng)泛合(hé)作。2022年年报显示，江波龙与三(sān)星(xīng)、美光、西部(bù)数据(jù)等主要存储晶圆原厂签署(shǔ)了(le)长期合约，确(què)保存储晶圆供(gōng)应的稳定性(xìng)，巩固公(gōng)司在下游市场的供应优(yōu)势，公司也与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的(de)合作。

　　有券商此(cǐ)前就(jiù)分析，如果(guǒ)美光在中国区销售(shòu)受到限制，或将导致下游客户转而采购(gòu)国外三星(xīng)、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长鑫(xīn)存储(chǔ)等竞对产品

　　分析(xī)称，长存(cún)、长鑫的上游(yóu)设(shè)备(bèi)厂或从中受益。存储器的生产(chǎn)已(yǐ)经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜(mó)成为最关键、最(zuì华大基因有国家背景吗)大量(liàng)的加(jiā)工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步(bù)骤，同(tóng)时刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生(shēng)更多设备需求。据(jù)东京电子披露，薄(báo)膜沉积设(shè)备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自长江(jiāng)存储被(bèi)加入美国限(xiàn)制名单，设备国产化进(jìn)程加速，看好拓荆(jīng)科(kē)技(jì)（薄膜沉(chén)积）等相关公司份额提升，以及存储业华大基因有国家背景吗务(wù)占比(bǐ)较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

未经允许不得转载：首页-哆唻咪批发商城(本店域名www.123pf.cn)-淘宝网 华大基因有国家背景吗