大家(jiā)好(hǎo)，来看一则(zé)突(tū)发消息。

　　美(měi)光公(gōng)司在华销售的(de)产品未通过网络(luò)安全审查

　　据(jù)网信办(bàn)消息(xī)，日前，网络(luò)安全审查办公室依(yī)法对美光公司在华销售产品进行了(le)网络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司产品(pǐn)存在较(jiào)严重(zhòng)网络安全问题隐患(huàn)，对我国关键(jiàn)信息基础设施供(gōng)应(yīng)链造成重(zhòng)大安全风险(xiǎn)，影响我国国家安(ān)全。为此，网络安全审查办公室依法作出不予通过网络安全审(shěn)查的结论。按照《网(wǎng)络安全法(fǎ)》等法律(lǜ)法规，我国内(nèi)关键信息基(jī)础设施的运(yùn)营(yíng)者应(yīng)停(tíng)止采购美光公(gōng)司产品。

　　此次对美光(guāng)公司产品进行网络安全(quán)审查，目(mù)的是防范产品网络安全(quán)问题危害(hài)国家关键信息基础设(shè)施安全，是维护(hù)国家安全的必要措施。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵守(shǒu)中(zhōng)国法律法规(guī)要求，欢迎(yíng)各国(guó)企业、各类平台(tái)产(chǎn)品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称，为保障(zhàng)关键信息基础设施供应链安(ān)全(quán)，防(fáng)范(fàn)产(chǎn)品问题隐患造成网络安全风(fēng)险，维护国家安全，依据(jù)《中华人(rén)民共和国国家安全法》《中华(huá)人(rén)民(mín)共和国网络安全(quán)法》，网络安全审查办公(gōng)室按照《网络(luò)安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施网络(luò)安全审查。

　　美光(guāng)是美国的存(cún)储芯片(piàn)行业(yè)龙头(tóu)，也是全(quán)球(qiú)存储芯片巨(jù)头之(zhī)一，2022年收入来自(zì)中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙、佰维存储等公司披(pī)露过美光等(děng)国(guó)际存储厂(chǎng)商为公司供应(yīng)商(shāng)。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已经显著下降，至少已经不(bù)是(shì)主(zhǔ)要大(dà)供(gōng)应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美(měi)光位列江波龙第一(yī)大存储晶圆(yuán)供应(yīng)商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一(yī)大、第二大和(hé)第(dì)三(sān)大供(gōng)应商(shāng)采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙(lóng)已经(jīng)在(zài)存(cún)储产业链上下游建立国内(nèi)外广(guǎng)泛合作(zuò)。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光、西部数据(jù)等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合(hé)约，确(què)保存(cún)储晶圆供应的稳定性，巩固(gù)公司在下(xià)游市(shì)场的供应优(yōu)势，公司也与国内国产存储晶圆原(yuán)厂武(wǔ)汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前(qián)就分析，如果美光在(zài)中国(guó)区销售受到限制，或将(jiāng)导致(zhì)下游客户(hù)转而(ér)采购(gòu)国外(wài)三(sān)星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江(jiāng)存储、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分(fēn)析称，长(zhǎng)存(cún)、长鑫的上游设备(bèi)厂或从中受益(yì)。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NA整天吵架的婚姻还能继续下去吗，夫妻超过三条迟早离婚ND时代(dài)，2 维到3维的(de)结构转变(biàn)使刻蚀(shí)和薄膜成为最关键、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层(céng)均需(xū)要经过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿(yán)要刻到(dào) 60：1的深孔(kǒng)，未来可(kě)能(néng)会(huì)更深(shēn)的孔(kǒng)或者(zhě)沟槽，催生更多设(shè)备需求。据东(dōng)京电子披(pī)露，薄膜沉积设备(bèi)及(jí)刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存(cún)储被加入美国(guó)限制名(míng)单，设备(bèi)国产化(h整天吵架的婚姻还能继续下去吗，夫妻超过三条迟早离婚uà)进程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等(děng)相(xiāng)关公(gōng)司份额提(tí)升(shēng)，以及(jí)存储业务占比较(jiào)高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入(rù)增(zēng)长。

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