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　　美(měi)光公司在华销售(shòu)的产品未(wèi)通过网络安全(quán)审查

　　据网(wǎng)信(xìn)办消息(xī)，日前，网络安全审查办(bàn)公室(shì)依法对美光公司在华销(xiāo)售产品进行了(le)网络安全审(shěn)查(chá)。

　　审查(chá)发现(xiàn)，美光公司产品(pǐn)存在较严重网络安全问题隐患，对我(wǒ)国关键信(xìn)息(xī)基础设施供(gōng)应链造成重大安全(quán)风险，影响(xiǎng)我(wǒ)国国家安全。为此(cǐ)，网络安(ān)全审查办公室(shì)依(yī)法(fǎ)作出(chū)不予通过(guò)网(wǎng)络安全(quán)审查的结论(lùn)。按照《网络安全法(fǎ)》等法律(lǜ)法(fǎ)规，我国内关(guān)键信息基础设施的运营者应(yīng)停止采购美(měi)光公司产品。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行网络安全审查(chá)，目的(de)是防(fáng)范产品(pǐn)网络安全问题危(wēi)害国家关键信息基础(chǔ)设施安全，是维护国家安全的必要(yào)措施。中国坚(jiān)定推进高(gāo)水平对外开放，只(zhǐ)要遵守(shǒu)中国法(fǎ)律法规(guī)要求，欢(huān)迎各国企业(yè)、各类(lèi)平台产(chǎn)品服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中(zhōng)国(guó)网(wǎng)信网发文(wén)称，为保障(zhàng)关键信息基(jī)础设施供应(yīng)链安全，防范产(chǎn)品(pǐn)问题隐患造(zào)成网络安(ān)全(quán)风险，维护国(guó)家安全，依据《中华人民共和国国家安(ān)全法(fǎ)》《中华人民共和国网络安全法》，网络(luò)安全审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品(pǐn)实施网络安(ān)全审查。

　　美(měi)光是美国的存储芯片(piàn)行业龙头，也是(shì)全球存储芯片(piàn)巨头之一(yī)，2022年收入来自中国市场(chǎng)收入(rù)从此前高(gāo)峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力(lì)士、美光在(zài)全球 DRAM （内存(cún)）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维(wéi)存储等公司披露过美光(guāng)等国际存储厂(chǎng)商(shāng)为公(gōng)司(sī)供(gōng)应商。

　　美光在(zài)江波龙采购占比已经显著下降，至少已经(唐家三少娶了年轻女学生，唐家三少娶了年轻女学生是真的吗jīng)不是(shì)主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年(nián)美光位列(liè)江波龙第一(yī)大存储(chǔ)晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和第三大供应商采(cǎi)购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经(jīng)在存储产业链上(shàng)下游建立国(guó)内(nèi)外广泛合作。2022年年报显示，江波(bō)龙与三(sān)星、美光(guāng)、西部数据等主(zhǔ)要存(cún)储晶圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固(gù)公司在下游市场的供应优势，公司也(yě)与国内(nèi)国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保持(chí)良唐家三少娶了年轻女学生，唐家三少娶了年轻女学生是真的吗好的合作。

　　有券(quàn)商此前(qián)就分析，如果美(měi)光在中国区销售受到(dào)限制，或将导致下(xià)游客户转而采购(gòu)国外三星、 SK海力士(shì)，国内(nèi)长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析称(chēng)，长存、长鑫的上游设(shè)备厂(chǎng)或从(cóng)中受益(yì)。存(cún)储器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺(yì)。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到3维的结构(gòu)转变使(shǐ)刻蚀和薄膜(mó)成为最关(guān)键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层(céng)均需要经过(guò)薄膜(mó)沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能(néng)会更深的孔或者沟槽，催(cuī)生更多设备需(xū)求。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉积(jī)设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加(jiā)入美国限(xiàn)制名(míng)单(dān)，设(shè)备国产(chǎn)化进程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额(é)提升(shēng)，以及存储(chǔ)业(yè)务占比较高(gāo)的华(huá)海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等(děng)收入增(zēng)长(zhǎng)。

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