大家(jiā)好，来看一则突发消息。

　　美光公司在(zài)华销售的产(chǎn)品未通(tōng)过网络(luò)安全审查

　　据(jù)网信办消息，日前，网络安全(quán)审查办公室依法对美光公(gōng)司在(zài)华(huá)销售产(chǎn)品进行了网络安全(quán)审查。

　　审查发(fā)现，美光公(gōng)司产品存(cún)在较严重网络安(ān)全问(wèn)题隐(yǐn)患，对我国关键信息基础设(shè)施供(gōng)应链造成重大安全风(fēng)险，影(yǐng)响我国国家安全(quán)。为此，网(wǎng)络安全审查办公室依(yī)法(fǎ)作出不予通过网(wǎng)络安(ān)全审查的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等(děng)法(fǎ)律法规，我国内关(guān)键信息(xī)基础设施的运营者应停止采购美光公司产品。

　　此(cǐ)次对美(měi)光(guāng)公(gōng)司产品进行(xíng)网络安全审查，目(mù)的是防范(fàn)产品(pǐn)网络(luò)安全问题危害(hài)国家关键信息(xī)基础设施安全，是维护国家安全的(de)必要(yào)措施(shī)。中国坚定推进高(gāo)水(shuǐ)平对(duì)外开放，只要遵守中国法律法规要(yào)求，欢迎各国企业(yè)、各类(lèi)平台产品服(fú)务进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发(fā)文称，为保障(zhàng)关键信息基础设施(shī)供应(yīng)链安全，防范(fàn)产品问题隐(yǐn)患造成网络安全风险，维(wéi)护国家(jiā)安全，依据《中(zhōng)华人民共(gòng)和国国(guó)家安(ān)全法》《中华人民(mín)共和国网络安(ān)全法》，网络安(ān)全(quán)审(shěn)查办公室(shì)按照《网络安全审查办法》，对美光(guāng)公司(sī)（Micron）在华(huá)销售的产品实施(shī)网络安全审查(chá)。

　　美(měi)光是美(měi)国的存储芯片行业龙(lóng)头(tóu)，也是(shì)全(quán)球存储鸢尾花怎么读拼音，鸢怎么读芯(xīn)片巨头(tóu)之一，2022年收入来自中国市场(chǎng)收入(rù)从(cóng)此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场鸢尾花怎么读拼音，鸢怎么读份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙(lóng)、佰维存(cún)储等公司披露(lù)过美光等国(guó)际存储厂商为(wèi)鸢尾花怎么读拼音，鸢怎么读公司供(gōng)应(yīng)商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比已经显著下降，至少已经(jīng)不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一大(dà)存储晶圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二大和第三大供应商采购(gòu)金额占比分别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储产业链上(shàng)下游建立国(guó)内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三星、美光、西部数据(jù)等主要存储晶(jīng)圆原厂签署了长期合约(yuē)，确保存(cún)储晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固(gù)公司在下游(yóu)市场的(de)供应优势，公司也与国内国产存(cún)储晶圆原厂(chǎng)武汉长(zhǎng)江存储、合肥长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良好的合(hé)作。

　　有券(quàn)商此前就分析，如果美光在中国区销售(shòu)受到(dào)限制，或将导致下游客户转(zhuǎn)而采购国外三星(xīng)、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储、长鑫(xīn)存储等竞(jìng)对(duì)产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键(jiàn)、最大量(liàng)的加(jiā)工设备(bèi)。3D NAND每(měi)层均需要经过(guò)薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深的孔或(huò)者沟(gōu)槽(cáo)，催生(shēng)更多设备需求。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自长江存储被加入(rù)美国(guó)限制名单，设备国产化(huà)进(jìn)程加速，看(kàn)好拓荆(jīng)科技（薄(báo)膜(mó)沉(chén)积(jī)）等相关公司份额提(tí)升，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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