大家好，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美光公(gōng)司在华销售的产品(pǐn)未(wèi)通(tōng)过网络安全审查(chá)

　　据(jù)网信(xìn)办消息，日(rì)前，网络安全审查办(bàn)公室依法对(duì)美(měi贵州海拔高度是多少)光公司在华销(xiāo)售产品进行了网络安(ān)全审查。

　　审查贵州海拔高度是多少发现，美光公(gōng)司产品(pǐn)存在较严重网络(luò)安全(quán)问题隐(yǐn)患，对(duì)我(wǒ)国关键信息基础(chǔ)设(shè)施(shī)供应链造成重大安全风险，影(yǐng)响我国国家(jiā)安全。为此，网络安全审查办公室依(yī)法作出不(bù)予通过(guò)网(wǎng)络(luò)安(ān)全(quán)审查的(de)结论。按照(zhào)《网(wǎng)络(luò)安全(quán)法(fǎ)》等法律法规，我国内关键信息基础设施的运营者应停止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对(duì)美光公司产品进行网络安全审查，目的是防范产品网络(luò)安全问(wèn)题危害(hài)国家关键(jiàn)信息(xī)基础设(shè)施(shī)安(ān)全，是维护国家安全(quán)的必(bì)要措施。中国坚定推进(jìn)高水平对外开放，只要遵守(shǒu)中(zhōng)国法律法规要求，欢迎各(gè)国企业(yè)、各类平台产品(pǐn)服务(wù)进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称(chēng)，为保(bǎo)障关键(jiàn)信息基础设施供应(yīng)链(liàn)安全，防(fáng)范产(chǎn)品问题(tí)隐患造成网络安全风(fēng)险，维护国家安全，依据《中(zhōng)华人民(mín)共和国(guó)国家安(ān)全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室按照(zhào)《网络安全审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的(de)产品实施网络安全审(shěn)查。

　　美光是(shì)美国的存储芯片行业龙头，也是全(quán)球存(cún)储芯片巨头之一，2022年收入来自(zì)中国市场收入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场(chǎng)咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电(diàn)子、 铠(kǎi)侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司(sī)中，江波(bō)龙、佰维存储(chǔ)等公(gō贵州海拔高度是多少ng)司披露过美光等国际存储厂商(shāng)为公(gōng)司供应商(shāng)。

　　美光在江(jiāng)波(bō)龙采购占比已(yǐ)经显著下降，至(zhì)少已经(jīng)不是(shì)主要大(dà)供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美(měi)光(guāng)位列(liè)江波龙第(dì)一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙第一大、第二大和第三大供应商采购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储产业链(liàn)上下游(yóu)建立(lì)国内外广泛合(hé)作。2022年年(nián)报显示，江波龙与三星、美光、西部数据(jù)等(děng)主要存(cún)储晶圆原(yuán)厂签署了长期(qī)合(hé)约，确保(bǎo)存储晶(jīng)圆供应的稳(wěn)定性，巩固公司(sī)在(zài)下游市场的(de)供应优(yōu)势，公(gōng)司(sī)也与国(guó)内国(guó)产存储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此(cǐ)前就分(fēn)析，如(rú)果美光在中国区销售受(shòu)到限(xiàn)制，或将导致下游(yóu)客户转而(ér)采购国外三星、 SK海力士(shì)，国内(nèi)长江存(cún)储、长鑫存(cún)储等(děng)竞对产品

　　分(fēn)析(xī)称(chēng)，长存、长(zhǎng)鑫的(de)上游设备厂或从(cóng)中受益。存(cún)储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄(báo)膜(mó)成(chéng)为(wèi)最关(guān)键(jiàn)、最大量的(de)加(jiā)工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉积(jī)工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来(lái)可能会(huì)更(gèng)深的孔或者沟槽(cáo)，催生更多设备需求。据东京电子披(pī)露，薄膜(mó)沉积设备(bèi)及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为(wèi)75％。自长(zhǎng)江存储被加(jiā)入美国限制(zhì)名(míng)单(dān)，设备(bèi)国产(chǎn)化(huà)进程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份额提(tí)升，以(yǐ)及存储(chǔ)业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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