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　　美(měi)光公司在华销(xiāo)售(shòu)的产品(pǐn)未通过网络安全(quán)审(shěn)查

　　据网信办消息，日(rì)前，网络安(ān)全审查办公室依法对美(měi)光公司(sī)在华销(xiāo)售(shòu)产(chǎn)品进行了网络安(ān)全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产品存在较严重网络(luò)安全问题(tí)隐患，对我(wǒ)国关键信息基础设(shè)施供应(yīng)链(liàn)造成重大安(ān)全风(fēng)险，影响我(wǒ)国国(guó)家安全(quán)。为(wèi)此，网络(luò)安全审查办公室(shì)依法作出不予通过网络安(ān)全(quán)审查的结论。按照《网络安(ān)全法》等法律法(fǎ)规(guī)，我国内关键信息基础设(shè)施(shī)的运(yùn)营(yíng)者(zhě)应停(tíng)止采(cǎi)购美光(guāng)公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产品进行网(wǎng)络安全审查，目的是(shì)防范产(chǎn)品网络安全问(wèn)题危害国家关键(jiàn)信息基础设施安全(quán)，是(shì)维护(hù)国(guó)家(jiā)安全的必要措(cuò)施。中国坚定推(tuī)进(jìn)高水(shuǐ)平(píng)对外开放，只要遵守(shǒu)中国(guó)法律法(fǎ)规要(yào)求，欢(huān)迎各国企业、各类平台产品服务(wù)进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称，为保障(zhàng)关键(jiàn)信息基(jī)础设施供应链安全(quán)，防范(fàn)产品问题隐患造成(chéng)网络(luò)安全风险，维护国家安全，依(yī)据《中华(huá)人民(mín)共和国(guó)国(guó)家(jiā)安全(quán)法》《中华人民共和国网络安全法(fǎ)》，网络(luò)安(ān)全审查(chá)办公室按照《网络安全审(shěn)查办法(fǎ)》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施网(wǎng)络安全审查(chá)。

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　　美光是美国的存(cún)储芯片行业(yè)龙(lóng)头，也(yě)是(shì)全球(qiú)存(cún)储芯(xīn)片巨头之一，2022年收(shōu)入(rù)来自中国市场收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电(diàn)子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在(zài)全(quán)球 DRAM （内存）市场(chǎng)份(fèn)额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露(lù)过(guò)美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占比已经显著下降，至(zhì)少已经不(bù)是主要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美(měi)光(guāng)位列江(jiāng)波龙(lóng)第一(yī)大存储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第(dì)二(èr)大和第三(sān)大供应(yīng)商采购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和fio2吸氧浓度计算公式中的4是什么意思，氧合指数的计算公式5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已(yǐ)经(jīng)在存储产业链上下游建立国内(nèi)外广泛合(hé)作。2022年年报显示，江波龙与三(sān)星、美光、西(xī)部数据等主要(yào)存储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合(hé)约，确保存储晶圆(yuán)供应的稳(wěn)定(dìng)性，巩固公(gōng)司在下游市场的供应优势，公司也与国内(nèi)国(guó)产存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券(quàn)商此前(qián)就分析，如果美光在(zài)中国(guó)区销售受到限制，或将(jiāng)导致下游客(kè)户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞(jìng)对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上游设(shè)备厂或从中(zhōng)受益(yì)。存储器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进入3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到(dào)3维的结构(gòu)转变使刻蚀(shí)和薄膜成为最关(guān)键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积(jī)工(gōng)艺步骤(zhòu)，同(tóng)时(shí)刻(kè)蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更(gèng)深的孔或者沟槽(cáo)，催生更(gèng)多设备需求。据东京电子(zi)披露，薄膜沉(chén)积设备及(jí)刻(kè)蚀占3D NAND产线资(zī)本开(kāi)支(zhī)合(hé)计为75％。自长江存(cún)储被加(jiā)入美国限制名单，设备国(guó)产(chǎn)化进程加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关(guān)公司份额(é)提升，以(yǐ)及存储业务占比(bǐ)较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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