大家好，来看(kàn)一则突发消(xiāo)息。

　　美光公司在(zài)华销售(shòu)的产(chǎn)品(pǐn)未(wèi)通过(guò)网络安全审查(chá)

　　据网信(xìn)办消息，日前(qián)，网络安(ān)全(quán)审查办(bàn)公(gōng)室依(yī)法对美光公司在华(huá)销售(shòu)产(chǎn)品进行了网络安全审查。

　　审查发(fā)现，美光公司产品存(cún)在较严重网络安全进退维谷的意思解释，进退维谷的意思和造句问题隐患(huàn)，对我国(guó)关键信(xìn)息基础设(shè)施供应链造成(chéng)重大(dà)安全风(fēng)险，影响(xiǎng)我国国家安全。为此，网络安(ān)全审查办公室依法作出(chū)不予通过(guò)网络安(ān)全(quán)审查的结论(lùn)。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关键信息基础设施的运营者应停止采(cǎi)购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美(měi)光公司产品(pǐn)进行网络(luò)安全审查(chá)，目的(de)是防范产品网络安全问题危害国家关键信息基础设(shè)施(shī)安全，是维护国家安全的必(bì)要(yào)措施(shī)。中国坚(jiān)定推进高水平对外(wài)开放，只要遵守中(zhōng)国法律法(fǎ)规要(yào)求，欢迎各国企业(yè)、各(gè)类平(píng)台产品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文称，为保(bǎo)障(zhàng)关(guān)键(jiàn)信(xìn)息基础设(shè)施供应链(liàn)安(ān)全(quán)，防范(fàn)产品问题隐患造成网络安(ān)全风险(xiǎn)，维护(hù)国家安(ān)全，依据《中华人民(mín)共和国国家安(ān)全法》《中华(huá)人民共和国网络(luò)安全法(fǎ)》，网络安全(quán)审查办公(gōng)室按照(zhào)《网络(luò)安(ān)全审(shěn)查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销(xiāo)售的产品实施网络(luò)安全审查。

　　美(měi)光(guāng)是美国的存(cún)储芯片行业龙(lóng)头，也(yě)是全球(qiú)存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来自中国市(shì)场收入从此前(qián)高峰(fēng)57％降至2022年(nián)约11％。根据市场(chǎng)咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西(xī)部数(shù)据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海(hǎi)力士(shì)、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江(jiāng)波龙、佰维(wéi)存(cún)储等公司披露过(guò)美光(guāng)等国际存储厂(chǎng)商(shāng)为公司供应商(shāng)。

　　美光在江波(bō)龙(lóng)采购占比已经显著下降，至少(shǎo)已经(jīng)不是主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一大存(cún)储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三(sān)大供应商采购金额占比(bǐ)分别是26.28进退维谷的意思解释，进退维谷的意思和造句％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经(jīng)在存储产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部(bù)数(shù)据(jù)等主要(yào)存储晶(jīng)圆(yuán)原厂签署(shǔ)了长期合(hé)约，确保存储(chǔ)晶圆(yuán)供(gōng)应的(de)稳定(dìng)性，巩(gǒng)固公司在下游市场(chǎng)的(de)供应优势，公(gōng)司也(yě)与国内国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江(jiāng)存(cún)储、合(hé)肥长(zhǎng)鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券商此前就分析(xī)，如果美光(guāng)在中(zhōng)国(guó)区(qū)销售受到限(xiàn)制，或将导致下游客户转而采购国(guó)外三星、 SK海力士(shì)，国(guó)内长江存(cún)储(chǔ)、长(zhǎng)鑫(xīn)存储(chǔ)等(děng)竞对产(chǎn)品

　　分析(xī)称(chēng)，长存(cún)、长(zhǎng)鑫的(de)上游设备厂或从中受益。存储器的生产已经演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的(de)结(jié)构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最关键、最(zuì)大量的加(jiā)工设备。3D NAND每(měi)层均(jūn)需要经过薄(báo)膜沉积工艺步(bù)骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或(huò)者(zhě)沟槽，催(cuī)生更多设备需求。据东京电子(zi)披露，薄膜(mó)沉(chén)积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合计为75％。自(zì)长江存储被加入美国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等相关公司份(fèn)额提升，以(yǐ)及存储业务占(zhàn)比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入增长。

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