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　　美光公(gōng)司在华销(xiāo)售(shòu)的产(chǎn)品未通过网络安全审查(chá)

　　据网(wǎng)信办(bàn)消(xiāo)息，日前，网络安(ān)全审查办公室依法对(duì)美光公司在华(huá)销售产品进(jìn)行了网络安(ān)全审查。

　　审查发(fā)现，美光(guāng)公司产品存在较严重网络安(ān)全问题隐患(huàn)，对(duì)我国(guó)关键信息基础设施供(gōng)应链(liàn)造(zào)成重大安全(quán)风险，影响我国国家安(ān)全(quán)。为此(cǐ)，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室依法作出不(bù)予通过网(wǎng)络安全审(shěn)查的结论。按照《网络安全法》等(děng)法律(lǜ)法规，我国内关键(jiàn)信(xìn)息基础(chǔ)设施(shī)的运营(yíng)者应(yīng)停止采(cǎi)购(gòu)美光公司产品。

　　此次对(duì)美光(guāng)公司产品(pǐn)进(jìn)行网络安全(quán)审查，目的是防范产(chǎn)品(pǐn)网络(luò)安全问题危害国家关键信息基础设施安全，是维护国家安全的必要措施。中国(guó)坚定(dìng)推进高水平对外开放，只要遵(zūn)守中国法(fǎ)律法规要未置可否和不置可否的区别在哪，未置可否的置是什么意思求，欢(huān)迎各国企业(yè)、各类平台产品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月(yuè)31日(rì)，中国网(wǎng)信网发文称，为(wèi)保障关键信息(xī)基础设施(shī)供应链(liàn)安(ān)全，防范产(chǎn)品问题隐患造成网络安(ān)全风险(xiǎn)，维(wéi)护(hù)国(guó)家安全，依据《中华(huá)人(rén)民共(gòng)和国国家安全法》《中华人民共和国网络安(ān)全法》，网(wǎng)络(luò)安(ān)全审(shěn)查办公室按照(zhào)《网络(luò)安全审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网络安(ān)全(quán)审查。

　　美光是美(měi)国的存(cún)储芯片行业龙(lóng)头，也是全(quán)球(qiú)存储芯(xīn)片巨头(tóu)之一，2022年收入(rù)来自中国(guó)市(shì)场收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年(nián)约11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电(diàn)子、 铠侠(xiá)、西部数(shù)据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰维存储等公司披(pī)露过美光等国(guó)际存(cún)储厂商为公司供应(yīng)商(shāng)。

　　美(měi)光(guāng)在江波龙采购占比已经显(xiǎn)著(zhù)下降(jiàng)，至少已经不是主要大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一大存储(chǔ)晶圆供(gōng)应商(shāng)，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江波龙第(dì)一(yī)大(dà)、第二大和第(dì)三大供应商采购金(jīn)额占比(bǐ)分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经(jīng)在(zài)存储产业链上下(xià)游(yóu)建立国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波(bō)龙与三星(xīng)、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了(le)长期(qī)合约(yuē)，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市(shì)场的供应优势，公司(sī)也与国(guó)内国产(chǎn)存储晶(jīng)圆原(yuán)厂武汉长江存储、合肥(féi)长鑫保持良好的(de)合作。

　　有券(quàn)商(shāng)此前就分析，如(rú)果美光在中(zhōng)国区(qū)销售(shòu)受到(dào)限制，或将导致下游客户转而(ér)采(cǎi)购国外三(sān)星(xīng)、 SK海力(lì)士(shì)，国内长江存储、长鑫存储等竞(jìng)对产(chǎn)品

　　未置可否和不置可否的区别在哪，未置可否的置是什么意思ong>分析(xī)称，长(zhǎng)存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中受(shòu)益。<未置可否和不置可否的区别在哪，未置可否的置是什么意思/strong>存储器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工艺。另(lìng)外NAND Flash现(xiàn)在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻(kè)蚀和(hé)薄膜成为最关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻(kè)蚀(shí)目前前沿(yán)要刻(kè)到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟(gōu)槽(cáo)，催生(shēng)更多设(shè)备需求。据东(dōng)京电子披露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合(hé)计为75％。自长江存储被加入美(měi)国限(xiàn)制(zhì)名单，设(shè)备(bèi)国产化进程加速，看好(hǎo)拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份额提升，以(yǐ)及(jí)存储业(yè)务占比较高的华海(hǎi)清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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