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公元1世纪是哪一年到哪一年,公元1世纪是什么年代

公元1世纪是哪一年到哪一年,公元1世纪是什么年代 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好(hǎo),来看一则突发消息。

  美(měi)光公司在华销售的产品未通过网络安全审查

  据网信办消息,日前,网络(luò)安(ān)全审查(chá)办公室依法对美光公(gōng)司在华销售产品进(jìn)行了网络安全审查。

  审查(chá)发现,美光(guāng)公司产品(pǐn)存在较严重网络安全(quán)问题隐患,对我国关键(jiàn)信息基础设施供应链造成重大安全风(fēng)险,影响我国国家安全。为此,网络(luò)安(ān)全(quán)审查办公室依法作(zuò)出不予通(tōng)过网(wǎng)络安(ān)全审查的结论(lùn)。按照《网络安全(quán)法》等法(fǎ)律法(fǎ)规,我(wǒ)国内关键信息(xī)基础设(shè)施的(de)运营者应(yīng)停止采购美(měi)光(guāng)公司产品。

  此次对美光公司产品进行网络安全审(shěn)查,目(mù)的是防(fáng)范产品网络安全(quán)问题危害国家(jiā)关键信息(xī)基础设施(shī)安全,是维护国(guó)家(jiā)安全的必要(yào)措施。中(zhōng)国坚定推进高水平(píng)对(duì)外开放,只要遵守中国法律(lǜ)法规(guī)要求,欢迎各国(guó)企业、各(gè)类(lèi)平台产品服务进入中国市场。

  半导体突发!中(zhōng)国出(chū)手(shǒu):停止采购(gòu)!

  3月31日,中国网信网发文称,为保障关键信息基(jī)础(chǔ)设施供应链(liàn)安全,防(fáng)范产品问(wèn)题隐患造成网络安(ān)全风(fēng)公元1世纪是哪一年到哪一年,公元1世纪是什么年代险,维(wéi)护(hù)国家(jiā)安全,依据《中华人民(mín)共和国国家(jiā)安(ān)全法》《中华人民共和国网络(luò)安全(quán)法》,网(wǎng)络安全审(shěn)查办公室按照《网络安全审查办法(fǎ)》,对美光公司(Micron)在(zài)华销售的产品实施网络安全审公元1世纪是哪一年到哪一年,公元1世纪是什么年代(shěn)查。

  半导体突发!中国出(chū)手:停止采购!

  美光是美国的(de)存(cún)储芯片行业龙(lóng)头,也是全球(qiú)存储芯片巨头之一,2022年收入来自中国市(shì)场收入(rù)从此前高峰57%降至(zhì)2022年约(yuē)11%。根据市场咨(zī)询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部(bù)数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash (闪存)市场份(fèn)额约为 96.76%,三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球(qiú) DRAM (内存)市场份额约为 94.35%。

  A股上市公司(sī)中,江波龙、佰维存储(chǔ)等公司披露(lù)过美(měi)光等(děng)国际(jì)存(cún)储(chǔ)厂商为公司供应商。

  美光(guāng)在江波(bō)龙采购占比已经显著下(xià)降,至少已(yǐ)经不是主要大供应商。

  公告显(xiǎn)示, 2021年美光位列江(jiāng)波(bō)龙第一大存储晶圆供(gōng)应(yīng)商(shāng),采购约31亿元(yuán),占(zhàn)比33.52%;2022年,江(jiāng)波(bō)龙第一(yī)大、第二大和(hé)第三大(dà)供应商采购金(jīn)额占比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目(mù)前江波龙已经在存(cún)储产业链上(shàng)下游建立国内外(wài)广(guǎng)泛合作。2022年年报显示,江(jiāng)波龙与三(sān)星、美(měi)光、西部数据(jù)等主要(yào)存储晶圆原厂签(qiān)署了(le)长期合约(yuē),确保存储晶(jīng)圆供应的稳定性,巩固公司(sī)在下游市(shì)场的供应优势,公司也(yě)与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作(zuò)。

  有券商此前(qián)就(jiù)分(fēn)析,如果美光在中国区销售受到限制,或将导致下游客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力(lì)士,国内长江存储、长鑫存储等竞对(duì)产品

  分析(xī)称,长存、长(zhǎng)鑫的上游设(shè)备(bèi)厂或从中受益。存(cún)储器(qì)的生(shēng)产已经(jīng)演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代,2 维到3维的(de)结构转(zhuǎn)变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为(wèi)最(zuì)关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工(gōng)艺步(bù)骤,同时刻蚀(shí)目前(qián)前沿(yán)要刻到 60:1的深孔,未来可能(néng)会更深的孔或者(zhě)沟槽,催生更多设备需求。据东京电子披(pī)露,薄膜沉积设(shè)备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计为75%。自长江存储被加(jiā)入美国(guó)限制(zhì)名单,设备国(guó)产化进程加速(sù),看好拓(tuò)荆(jīng)科技(薄(báo)膜沉积)等相关公司份额提升(shēng),以及存储业务占比较高(gāo)的华海清科(CMP)、盛(shèng)美(měi)上海(清洗)等(děng)收(shōu)入增长。

 

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