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　　美光公司在华销售的产品(pǐn)未通过网络(luò)安全审查(chá)

　　据网(wǎng)信(xìn)办消息，日前，网络安全审查(chá)办(bàn)公室依法对美光公司在华(huá)销售产(chǎn)品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审查(chá)发现，美光公(gōng)司产品存在较严(yán)重网(wǎng)络(luò)安(ān)全问题(tí)隐患，对我国关(guān)键信息(xī)基础设施供应链造成重大安全风险，影响(xiǎng)我国国家安全。为此，网络安全(quán)审查办公(gōng)室依法作(zuò)出不予通过(guò)网络安全审查的结论(lùn)。按照《网(wǎng)络(luò)安全法》等法律法规，我国内关键信息(xī)基础设施的运营者花竹帽是哪个民族的 花竹帽是广西毛南族仅有的吗(zhě)应(yīng)停(tíng)止采(cǎi)购美(měi)光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查，目的是(shì)防范产品网络安全问题危(wēi)害国家(jiā)关(guān)键信息基础(chǔ)设施安全，是维护(hù)国家安全的必(bì)要措施。中国坚定(dìng)推(tuī)进高水平对外(wài)开(kāi)放，只要遵守中国(guó)法律法规要(yào)求，欢迎各国企业、各类平台产品服(fú)务进入中国市(shì)场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发(fā)文称，为保(bǎo)障关(guān)键信息基(jī)础设施供应链(liàn)安全，防范产品问题隐患造成网(wǎng)络安全风险，维护国(guó)家安全(quán)，依(yī)据《中华人(rén)民共和国国(guó)家安全法》《中华(huá)人民(mín)共和国网络(luò)安全法》，网(wǎng)络安全审查办公室按照《网(wǎng)络安全(quán)审查办(bàn)法》，对美(měi)光公司(sī)（Micron）在华销售(shòu)的产品实(shí)施网络安全审查(chá)。

　　美光是美(měi)国的存储芯片行(xíng)业龙头，也是全球存(cún)储(chǔ)芯片巨头之(zhī)一，2022年收入(rù)来自中(zhōng)国市场收入(rù)从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠(kǎi)侠、西部数(shù)据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士(shì)、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存(cún)储等公司披露过美光等(děng)国际存(cún)储(chǔ)厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占(zhàn)比(bǐ)已经显著下降，至少已经不是主要(yào)花竹帽是哪个民族的 花竹帽是广西毛南族仅有的吗大供应商(shāng)。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列(liè)江波龙第(dì)一大存储晶(jīng)圆供应商(shāng)，采购约(yuē)31亿(yì)元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第(dì)一大、第二大(dà)和第三大供应商(shāng)采购金额(é)占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存储产业链上下游建立国内外广泛(fàn)合作。2022年年(nián)报(bào)显示，江波(bō)龙与三(sān)星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固公司在下游(yóu)市(shì)场(chǎng)的(de)供应(yīng)优(yōu)势，公司也与国内国产存储晶(jīng)圆原厂武汉长江(jiāng)存(cún)储(chǔ)、合肥长鑫(xīn)保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商(shāng)此前就分(fēn)析，如果美光在中国区销(xiāo)售受到限制，或(huò)将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力(lì)士(shì)，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫(xīn)的上游设备厂或从(cóng)中受益。存储器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到(dào)3维的结构转变(biàn)使(shǐ)刻(kè)蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需(xū)要(yào)经过(guò)薄膜沉(chén)积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深的孔或者(zhě)沟槽，催生更多设备需求。据(jù)东京电子披露(lù)，薄膜(mó)沉积(jī)设(shè)备及刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限制名单，设备国(guó)产(chǎn)化进(jìn)程加(jiā)速，看好拓荆科(kē)技(jì)（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份额提升，以及(jí)存储(chǔ)业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增(zēng)长。

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